磁気メモリは、強磁性材料の磁化：N,Sの方向をデジタル信号：1,0に対応させることで、情報を記録しています。磁化方向を変化させる（情報を書き換える）ためには、一般的な強磁性材料を用いている場合、磁界を印加しなければなりませんが、それにはエネルギーロスの非常に大きなコイルに電流を流す方法を用いなければならず、大きな電力を消費します。

この問題を解決するために、近年室温で強磁性かつ強誘電性が確認された材料に着目しました。この材料の薄膜を高品位に作製する手法を検討し、その薄膜に電圧を印加することで分極：+,-の方向変化を介して、N,Sの方向を変化させることに成功しました。この材料は絶縁体であるため、電圧を印加しても直流電流は流れないことから、低電力でデジタル情報を記録することができます。

この新しい記録方式のメモリを実現するため、メモリ応用に適した磁気特性を有する強磁性･強誘電材料薄膜の開発を現在行っています。